北京交通大学TALD原子层沉积镀膜设备通过验收

　　2015年10月30日，北京维意真空技术应用有限责任公司完成了向北京交通大学交付TALD原子层沉积镀膜设备的工作。

　　TALD原子层沉积系统是专门为科研和工业小型化量产用户而设计的多片沉积系统。该系统电气完全符合CE标准，广泛应用于微电子、纳米材料、光学薄膜、太阳能电池等领域。

　　此次交付的TALD原子层沉积镀膜设备是全套联合自主研发的产品：

　　1、控制部分采用PC机远程控制，PLC和触摸屏本地操控，真正的实现了系统集工艺配方、参数设置、权限设定、互锁报警、状态监控等功能于一体;

　　2、反应腔室、设备管路、前驱体源瓶均采用316L不锈钢制作完成;

　　3、可实现存储容性电介质，铜互连中高深宽比扩散阻挡层，OLED无针孔钝化层，MEMS的高均匀镀膜，纳米多孔结构镀膜，特种光纤掺杂，太阳能电池，平板显示器，光学薄膜，其它各类特殊结构纳米薄膜。

　　可达到的技术指标：

　　1、基片尺寸 6英寸;

　　2、基片加热温度 室温~300℃;

　　3、前驱体源路数 标准3路前驱体管路，1路吹扫管路;

　　4、前驱体管路温度 室温～200℃，控制精度±0.1℃;

　　5、源瓶加热温度 室温～200℃，控制精度±0.1℃;

　　6、ALD阀 Swagelok快速高温ALD专用阀;

　　7、本底真空 <5x10-1Pa，进口防腐泵;

　　8、载气系统 N2;

　　9、生长模式 连续和停留沉积模式任意选择;

　　10、控制系统 本地PLC+触摸屏，远程PC机;

　　11、电源 50-60Hz，220V/20A交流电源

　　12、沉积非均匀性 非均匀性<±1%

　　13、设备尺寸 600mm x 600mm x 1100mm